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IRF1405PBF  与  IPP052N06L3 G  区别

型号 IRF1405PBF IPP052N06L3 G
唯样编号 A-IRF1405PBF A-IPP052N06L3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 330 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.3mΩ@101A,10V 4.2mΩ
上升时间 - 5ns
Qg-栅极电荷 - 50nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 58S
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 169A 80A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 12ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5480pF @ 25V -
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 330W(Tc) 115W
典型关闭延迟时间 - 56ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5480pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 11ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1405PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 2,600 对比
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TO-220-3

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PHP191NQ06LT,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHP191NQ06LT_SOT78

¥17.5857 

阶梯数 价格
20: ¥17.5857
50: ¥14.4145
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¥14.3771 

阶梯数 价格
20: ¥14.3771
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0 对比

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